半导体行业:首例国产DRAM芯片试产 行业观点: 2018年7月16日合肥长鑫DRAM“506项目”正式宣布试产8Gb DDR4的工程样片,标着着自主研发的国产DRAM芯片实现了0到1的突破。虽然中国是全球最大的消费电子市场和电子产品制造地,对于存储器需求旺盛,但是占存储器90%以上的内存DRAM和闪存NAND FLASH市场基本上是由韩、日、美三国垄断。此次合肥长鑫DRAM芯片的投片弥补了国内厂商在DRAM市场的空白。我们认为合肥长鑫项目一旦顺利竣工,整条DRAM IDM产业链都将充分受益,首先是参与设计的兆易创新和提供设备的北方华创将优先受益,其次太极实业作为其洁尘室的设计方和国内DRAM封测龙头,有望承接长鑫一部分封测订单,在合肥布局建厂的通富微电也有希望获得部分订单。 投资建议:重点关注太极实业,通富微电,兆易创新,北方华创。(国金证券 樊志远) |